STMicroelectronics 2STD1665T4 BJTs - バイポーラトランジスタ 150V Vcbo 65V Vceo 6A NPN 低電圧
Model2STD1665T4
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Width: 6.2 mm
Height: 2.4 mm
Length: 6.6 mm
Technology: Si
Unit Weight: 260.400 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 15 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 150 V
Maximum DC Collector Current: 6 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 150
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 230 mV
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