STMicroelectronics 2STR1215 BJTs - バイポーラトランジスタ 低電圧 高速スイッチ 高利得 PNP
Model2STR1215
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Width: 1.3 mm
Height: 0.95 mm
Length: 2.9 mm
Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 15 V
Continuous Collector Current: 1.5 A
Maximum DC Collector Current: 1.5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
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