STMicroelectronics 2STR2160 BJTs - バイポーラトランジスタ 低電圧 高速スイッチング PNP パワー
Model2STR2160
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Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 560
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: - 1 A
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 45
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 260 mV
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