STMicroelectronics MJD112T4 ダーリントントランジスタ NPN パワーダーリントン
ModelMJD112T4
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Width: 6.2 mm
Height: 2.4 mm
Length: 6.6 mm
Unit Weight: 1.800 g
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
Maximum Collector Cut-off Current: 20 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
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