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STMicroelectronics STE180NE10 パワーMOSFET

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Type: Power MOSFET

Vgs(th): 4 V

Vgs (Max): 20V

Gate Charge (Qg): 795nC

Power consumption: 360W

Technology System: MOSFET(Metal Oxide)

Drain to Source voltage: 100V

Continuous drain current: 180A

Input Capacitance (Ciss): 21000pF

Operating temperature range: -55 to 150C

Field-effect transistor type: N-CH

Drain to Source on-state resistance: 6Ohm

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

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