STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBTトランジスタ EAS 180 mJ-400 V
ModelSTGB18N40LZT4
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Width: 9.35 mm
Height: 4.6 mm
Length: 10.4 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2.240 g
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q100
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 150 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 12 V, 16 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 420 V
Continuous Collector Current Ic Max: 30 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.35 V
Continuous Collector Current at 25 C: 30 A
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