STMicroelectronics STGSH80HB65DAG IGBTトランジスタ 自動車用 ACEPACK SMIT ハーフブリッジ 650 V、80 A HBシリーズ ダイオード付きIGBT
ModelSTGSH80HB65DAG
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Technology: Si
Unit Weight: 8.200 g
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Pd - Power Dissipation: 250 W
Gate-Emitter Leakage Current: 800 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C: 83 A
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