STMicroelectronics STGW30NC120HD IGBTトランジスタ NチャネルIGBT
ModelSTGW30NC120HD
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Width: 5.15 mm
Height: 20.15 mm
Length: 15.75 mm
Technology: Si
Unit Weight: 38 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 220 W
Continuous Collector Current: 30 A
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 25 V, 25 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.75 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
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