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Technology: Si
Unit Weight: 76 mg
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 18 nC
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Id - Continuous Drain Current: 15 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 255 mOhms
