Vishay General Semiconductor VS-GT400TH60N IGBTモジュール出力＆SWモジュール - DIAP IGBT
ModelVS-GT400TH60N
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Technology: Si
Configuration: Half Bridge
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 1.6 kW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C: 530 A
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