お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
認定専門家へ直接アクセス
Vgs(th): 0.9V
Vgs (Max): 5V
Gate Charge (Qg): 11.6nC
Power consumption: 236mW
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 8V
Continuous drain current: 1.34A
Input Capacitance (Ciss): 585pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 86mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5|4.5V