お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
認定専門家へ直接アクセス
FET Feature: Logic Level Gate
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 270mW
Operating temperature: -55 to 150C
Drain to Source voltage: 20V
Continuous drain current: 410mA
Current - Drain (Id) (25°C): 410mA
Field-effect transistor type: 2P-Channel(Dual)
Gate Charge - (when applying Vgs): 1.8nC@4.5V
Drain to Source on-state resistance: 995mOhm
On Voltage - (Vgs when Id is applied): 1.5V@250uA
On Resistance - (Rds when Id,Vgs is applied): 995mOhm@410mA|4.5V
