Vishay SI1988DH-T1-E3 MOSFET
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ModelSI1988DH-T1-E3
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FET Feature: Logic Level Gate
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 1.25W
Operating temperature: -55 to 150C
Drain to Source voltage: 20V
Continuous drain current: 1.3A
Current - Drain (Id) (25°C): 1.3A
Field-effect transistor type: 2N-Channel(Dual)
Gate Charge - (when applying Vgs): 4.1nC@8V
On Voltage - (Vgs when Id is applied): 1V@250uA
On Resistance - (Rds when Id,Vgs is applied): 168mOhm@1.4A|4.5V
Input Capacitance - (Ciss when Vds is applied): 110pF@10V
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