Vishay SI7405BDN-T1-GE3 MOSFET
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ModelSI7405BDN-T1-GE3
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Vgs(th): 1 V
Vgs (Max): 8V
Gate Charge (Qg): 115nC
Power consumption: 3.6|33W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 12V
Continuous drain current: 16A
Input Capacitance (Ciss): 3500pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: P-CH
Drain to Source on-state resistance: 13mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8|4.5V
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