お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
認定専門家へ直接アクセス
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 33 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 179 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Id - Continuous Drain Current: 20 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 190 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
