Vishay SISS23DN-T1-GE3 シングルMOSFET
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ModelSISS23DN-T1-GE3
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No. of Pins: 8
Channel Type: P Channel
Product Range: TrenchFET Series
Power Dissipation: 57 W
Transistor Mounting: Surface Mount
Transistor Case Style: PowerPAK 1212
Drain Source Voltage Vds: 20 V
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Drain Current Id: 50 A
Drain Source On State Resistance: 4.5 mOhm
Gate Source Threshold Voltage Max: 900 mV
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