Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
1, Dải đo điện áp đánh thủng VDSS: 0 - 1999V, độ chính xác: nhỏ hơn 2.5%.
2, IDSS: có thể chia thành ba lựa chọn: 1mA, 250uA, 25uA.
3, Dải đo điện áp mở lưới VGS (th): 0 - 10V. Độ chính xác: nhỏ hơn 5%.
4, Dòng đo độ dẫn truyền Gfs Idm: không nhỏ hơn 1 - 50A, có thể điều chỉnh liên tục, độ chính xác: nhỏ hơn 10%.
5, Dải đo độ dẫn truyền Gfs: 1 - 100.
Datasheet
Product Description:It can be used to test the main parameters of N-channel conductive power field effect transistors with a nominal current of about 2-85A and a power of less than 300W.
Main test function
1. The breakdown voltage VDSS, VGS (th) and Gfs of the MOSFET are tested
2. Tthe breakdown voltage of V IGBT (BR) ces, VGE (th), Gfs test.
3. The power field effect transistor and IGBT in the 50A under any current state consistency test, can be used for matching.
4. For other higher current and power field effect transistor and IGBT test: (see below)
5. A variety of crystal triode, diode , Voltage regulator , breakdown voltage test.
6. Varistor voltage test etc.
