Infineon FF900R12ME7BPSA1 IGBT 모듈 중간 전력 이코노

Name: Infineon FF900R12ME7BPSA1 IGBT 모듈 중간 전력 이코노
Brand: Infineon

ModelFF900R12ME7BPSA1

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Technology: Si

Configuration: Dual

Mounting Style: Press Fit

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V

Continuous Collector Current at 25 C: 900 A

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