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IXYS IXTR210P10T MOSFETs 트렌치P 채널 파워

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ModelIXTR210P10T

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Technology: Si

Unit Weight: 6 g

Mounting Style: Through Hole

Transistor Polarity: P-Channel

Id - Continuous Drain Current: 195 A

Rds On - Drain-Source Resistance: 8 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V

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