IXYS MIXA600PF650TSF IGBT 모듈
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ModelMIXA600PF650TSF
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Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 1.75 kW
Gate-Emitter Leakage Current: 1.5 uA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C: 720 A
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