Microchip Technology MSC360SMA120B SiC MOSFETS MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-247
ModelMSC360SMA120B
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Technology: SiC
Unit Weight: 6 g
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance: 360 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
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