빠른 지원
인증된 전문가에게 직접 연결
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Vgs(th): 0.9V
Gate Charge (Qg): 150nC
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 20V
Continuous drain current: 12.5A
Field-effect transistor type: P-CH
Drain to Source on-state resistance: 7.3mOhm
