Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 390 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: 6 mV
Maximum Drain Gate Voltage: 10 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 6.5 mA
Id - Continuous Drain Current: 2 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 8 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
