Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Fall Time: 6 ns
Rise Time: 0.6 ns
Technology: Si
Unit Weight: 360 mg
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 40 V, + 40 V
Typical Turn-On Delay Time: 0.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 2 ns
Id - Continuous Drain Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 10 mS
Rds On - Drain-Source Resistance: 45 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
