Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 12 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 32.095 g
Output Power: 240 W
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 345 W
Maximum Operating Frequency: 3.1 GHz
Minimum Operating Frequency: 2.7 GHz
Id - Continuous Drain Current: 24 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V to 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3 V
