Dịch vụ cho thuê thiết bị
Dịch vụ hiệu chuẩn thiết bị
Dịch vụ kiểm định thiết bị
Dịch vụ sửa chữa thiết bị

Giới thiệu chung
Liên hệ
Nhân sự
Văn hóa công ty

Hãng sản xuất Sự kiện-Triển lãm

Tin tức-Diễn đàn

Chính sách khách hàng
Dành cho nhà cung cấp
Diễn đàn kỹ thuật
Giới thiệu sản phẩm
Hãng phân phối
Hướng dẫn sử dụng
Thông báo
Tin kỹ thuật

© 2011 - 2026 EMIN.VN. Bảo lưu mọi quyền.

GaN HEMTs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt MACOM CGH40010F | EMIN.VN

FET GaN
GaN HEMTs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt MACOM CGH40010F

Cập nhật các ưu đãi mới nhất

Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.

Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.

Hỗ trợ nhanh

Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

Product image

GaN HEMTs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt MACOM CGH40010F

Hãng sản xuấtMACOM(Xem thêm sản phẩm của hãng)

ModelCGH40010F

Liên hệ

Số lượng

Thanh toán an toàn

Hỗ trợ chuyên nghiệp

Đổi trả dễ dàng

Giao hàng tận nơi

Gain: 14.5 dB

Technology: GaN

Unit Weight: 7.396 g

Output Power: 12.5 W

Configuration: Single

Mounting Style: Screw Mount

Development Kit: CGH40010-TB

Transistor Type: GaN HEMT

Transistor Polarity: N-Channel

Maximum Operating Frequency: 6 GHz

Minimum Operating Frequency: 2 GHz

Id - Continuous Drain Current: 1.5 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V to 2 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 120 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3 V

Sản phẩm liên quan

FET GaN 3.4-3.8GHz 15W 50V Kênh Đơn GaN Qorvo QPD0007TR13

FET GaN 3.4-3.8GHz 15W 50V Kênh Đơn GaN Qorvo QPD0007TR13

FET GaN Điện Áp Cao Gan Rời Infineon IGO60R070D1AUMA2

FET GaN Điện Áp Cao Gan Rời Infineon IGO60R070D1AUMA2

FET GaN FET LDMOS RF MACOM GTVA261701FA-V1-R2

FET GaN FET LDMOS RF MACOM GTVA261701FA-V1-R2

Giai đoạn công suất GaN HEMT Nano Cap, EcoGaN, 650V 50mohm 2MHz, IC Giai đoạn công suất GaN HEMT ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

Giai đoạn công suất GaN HEMT Nano Cap, EcoGaN, 650V 50mohm 2MHz, IC Giai đoạn công suất GaN HEMT ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

FET GaN 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, làm mát mặt dưới Infineon GS-065-008-1-L-MR

FET GaN 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, làm mát mặt dưới Infineon GS-065-008-1-L-MR

FET GaN 650V, 7.5A, GaN E-mode, gói GaNPX, làm mát mặt dưới Infineon GS66502B-MR

FET GaN 650V, 7.5A, GaN E-mode, gói GaNPX, làm mát mặt dưới Infineon GS66502B-MR

Transistor GaN FETs CoolGaN 700 V G4 cho hiệu suất và độ tin cậy tối ưu Infineon GS-065-030-6-LT-TR

Transistor GaN FETs CoolGaN 700 V G4 cho hiệu suất và độ tin cậy tối ưu Infineon GS-065-030-6-LT-TR

GaN HEMTs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt MACOM CGH40090PP

GaN HEMTs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt MACOM CGH40090PP

GaN HEMTs Die GaN HEMT DC-18GHz, 25 Watt MACOM CGHV1J025D-GP4

GaN HEMTs Die GaN HEMT DC-18GHz, 25 Watt MACOM CGHV1J025D-GP4

FET GaN HEMT GaN, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL MACOM CG2H40035P

FET GaN HEMT GaN, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL MACOM CG2H40035P