Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 34.362 g
Configuration: Single
Transistor Type: Bipolar Power
Operating Frequency: 1.15 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1.46 kW
Emitter- Base Voltage VEBO: 3.5 V
Continuous Collector Current: 29 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
