Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 3.99 mm
Height: 1.58 mm
Length: 4.98 mm
Technology: Si
Unit Weight: 540 mg
Output Power: 1 W
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar Power
Operating Frequency: 900 MHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 6.4 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 2.3 V
Operating Temperature Range: - 40 C to + 85 C
Continuous Collector Current: 200 mA
Maximum DC Collector Current: 1.2 A
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 17 V
