Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 3 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 800 mW
DC Current Gain hFE Max: 325 at 1 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at 100 uA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
