BJTs - Transistor Lưỡng Cực 60V 600mA 800mW NPN Không Chì Tín Hiệu Nhỏ BJT THT Microchip Technology 2N2905Ae3
Hãng sản xuấtMicrochip Technology(Xem thêm sản phẩm của hãng)
Model2N2905Ae3
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 1 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 800 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 600 mA
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 75
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi