BJTs - Transistor Lưỡng Cực 60V 50mA 350mW BJT Tín Hiệu Nhỏ Đôi SQ SMT TR Microchip Technology 2N3810U/TR
Hãng sản xuấtMicrochip Technology(Xem thêm sản phẩm của hãng)
Model2N3810U/TR
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 350 mW
DC Current Gain hFE Max: 450 at 100 uA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100 at 10 uA, 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi