Mô-đun IGBT SiC IGBT NPT Tần số Trung bình Combi 1200 V 100 A SOT-227 Microchip Technology APT100GT120JRDQ4
Hãng sản xuấtMicrochip Technology(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelAPT100GT120JRDQ4
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: SiC
Unit Weight: 29.200 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 570 W
Gate-Emitter Leakage Current: 600 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 123 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi