Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: SiC
Unit Weight: 10 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 781 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 135 A
