Mô-đun Công Suất PM-IGBT-TFS-D3 Microchip Technology APTGX400A120D3G
Hãng sản xuấtMicrochip Technology(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelAPTGX400A120D3G
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Half Bridge
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 1.293 kW
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 535 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

