Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 13 dB
Technology: Si
Unit Weight: 12.317 g
Output Power: 150 W
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 65 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 250 W
Vgs - Gate-Source Voltage: + 30 V
Id - Continuous Drain Current: 6.5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 3 mS
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
