Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 15 dB
Fall Time: 4 ns
Rise Time: 4.1 ns
Technology: Si
Unit Weight: 38 g
Channel Mode: Enhancement
Output Power: 100 W
Mounting Style: Through Hole
Operating Frequency: 100 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 180 W
Vgs - Gate-Source Voltage: + 30 V
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Id - Continuous Drain Current: 9 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 4 mS
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
