MOSFET / Diode Schottky SiC PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C Microchip Technology MSCSM120VR1M062CT6AG
Hãng sản xuấtMicrochip Technology(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelMSCSM120VR1M062CT6AG
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: SiC
Mounting Style: Screw Mount
Vf - Forward Voltage: 1.8 V
Vr - Reverse Voltage: 1.7 kV
Pd - Power Dissipation: 1.753 kW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 23 V
Id - Continuous Drain Current: 420 A
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 6.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.8 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi