Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 4.19 mm
Height: 5.33 mm
Length: 5.21 mm
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 1 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 640 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 200 mmho
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
