Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Vgs(th): 4 V
Vgs (Max): 30V
Gate Charge (Qg): 435nC
Power consumption: 520W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 200V
Continuous drain current: 100A
Input Capacitance (Ciss): 10200pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 22mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
