Transistor lưỡng cực BJTs 40V 800mA 500mW 3 chân CER Tín hiệu nhỏ BJT Microsemi JAN2N2222AUB
Hãng sản xuấtMicrosemi(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelJAN2N2222AUB
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 8.373 g
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 325
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Continuous Collector Current: 800 mA
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi