BJTs - Transistor Lưỡng Cực 60V 30A 5W NPN Công Suất BJT THT Microsemi Jan2N5302
Hãng sản xuấtMicrosemi(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelJan2N5302
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 5 W
DC Current Gain hFE Max: 60
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 30 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 750 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi