BJTs - Transistor Lưỡng Cực 60V 3mA 1W Công Suất BJT THT Microsemi Jantx2N3868
Hãng sản xuấtMicrosemi(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelJantx2N3868
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 9.210 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 150 at 1.5 A, 2 VDC
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 3 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30 at 1.5 A, 2 VDC
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi