Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 415 mW
DC Current Gain hFE Max: 250 at 100 mA, 1 V
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100 at 100 mA, 1 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
