Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 0.62 mm
Height: 0.47 mm
Length: 1.02 mm
Technology: Si
Unit Weight: 0.800 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 430 mW
DC Current Gain hFE Max: 200 at 10 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 450 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 10 mA, 2 V, 150 at 100 mA, 2 V, 50 at 500 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
