Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 7.530 mg
Output Power: 7 dBm
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar Wideband
Operating Frequency: 10 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 450 mW
DC Current Gain hFE Max: 200
Gain Bandwidth Product fT: 10 GHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 2 V
Operating Temperature Range: - 40 C to + 150 C
Collector- Base Voltage VCBO: 24 V
Continuous Collector Current: 30 mA
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 12 V
