Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 9 mg
Output Power: 10 dBm
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar Wideband
Operating Frequency: 11 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 450 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 2 V
Continuous Collector Current: 40 mA
Maximum DC Collector Current: 65 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 12 V
