Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 27 dB
Technology: Si
Unit Weight: 3 g
Channel Mode: Enhancement
Output Power: 25 W
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: LDMOS FET
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 1.8 MHz to 2 GHz
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: + 10 V
Id - Continuous Drain Current: 210 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 133 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
