Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

Gain: 25.1 dB
Technology: Si
Unit Weight: 13.159 g
Output Power: 1.8 kW
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Type: LDMOS FET
Number of Channels: 2 Channel
Operating Frequency: 1.8 MHz to 400 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 2.247 kW
Vgs - Gate-Source Voltage: + 10 V
Id - Continuous Drain Current: 43 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Forward Transconductance - Min: 44.7 S
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 179 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.9 V