Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 25.1 dB
Technology: Si
Unit Weight: 13.159 g
Output Power: 1.8 kW
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Type: LDMOS FET
Number of Channels: 2 Channel
Operating Frequency: 1.8 MHz to 400 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 2.247 kW
Vgs - Gate-Source Voltage: + 10 V
Id - Continuous Drain Current: 43 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Forward Transconductance - Min: 44.7 S
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 179 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.9 V
