Pre-Biased Bipolar Transistor NXP PDTA115EE,115
Hãng sản xuấtNXP(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelPDTA115EE,115
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
R1/R2: 1
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 150mW
Transistor type: PNP-Prebias
Collector current: 20mA
DC electricity gain: 80@5mA@5V
Resistance-Base (R1): 100kOhms
Vce Saturation (maximum): 150mV@250uA,5mA
Collector-emitter voltage: 50V
Resistance-Emitter base (R2): 100kOhms
DC current gain (hFE) (minimum): 80@5mA,5V
Current-Collector (Ic) (maximum): 20mA
Current-Collector cutoff (maximum): 1uA
Voltage-Collector-emitter breakdown (maximum): 50V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi