Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Mounting: Screw in
Band Type: Band B
Wire Length: 19.304 mm
Sensor Width: 6.096 mm
Output Signal: Voltage
Repeatability: ± 10 mK @ 4.2 K
Sensor Height: 5.556 mm
Wire Diameter: 0.38 mm
Sensor Threads: 6-32
Number of Wires: 2
Reverse Voltage: 60 V
Current, Max Note: 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed
Supply Power Effects: 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Thermal Response Time: SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Use in Radiation Note: Recommended for use only in low level radiation
Recommended Excitation: 10 µA, ± 0.1%
Temperature Sensor Type: Silicon Diode
Process Temperature, Max: 226.85 °C
Process Temperature, Min: -271.8 °C
Accuracy Band Availability: 1, 2, 3, 4
Use in Magnetic Field Note: Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K
